收藏本站
N08L63W2A
Timing Waveform of Write Cycle (WE control)
t WC
Address
CE1
CE2
LB, UB
t AW
t CW
t LBW , t UBW
t WR
WE
t AS
t WP
t DW
t DH
Data In
High-Z
Data Valid
t WHZ
Data Out
Timing Waveform of Write Cycle (CE1 Control)
t WC
Address
t AW
High-Z
t OW
t WR
CE1
(for CE2 Control, use
inverted signal)
t AS
t CW
t LBW , t UBW
LB, UB
t WP
WE
t DW
t DH
Data In
Data Valid
Data Out
t LZ
t WHZ
High-Z
Rev. 8 | Page 8 of 10 | www.onsemi.com
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
N1JP1212 PANEL INNER 10.25X10.25" GREY
N252-012 PANEL PATCH CAT6 568B 12PORT
N252-024 PANEL PATCH CAT6 568B 24PORT
N252-048 PANEL PATCH CAT6 RACK 48 PORT
N25S818HAS21I IC SRAM 256KBIT 16MHZ 8SOIC
N25S830HAS22IT IC SRAM 3V SER 256KB LP 8SOIC
N64S818HAT21I IC SRAM 64KB 1.8V LP 8-TSSOP
N64S830HAT22I IC SRAM 64KBIT 20MHZ 8TSSOP
相关代理商/技术参数
N08L63W2AB27IT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
N08L63W2AB7I 功能描述:静态随机存取存储器 8MB 3V LOW PWR 静态随机存取存储器 RoHS:否 制造商:Cypress Semiconductor 存储容量:16 Mbit 组织:1 M x 16 访问时间:55 ns 电源电压-最大:3.6 V 电源电压-最小:2.2 V 最大工作电流:22 uA 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 40 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:TSOP-48 封装:Tray
N08L63W2AB7IT 制造商:ONSEMI 制造商全称:ON Semiconductor 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous CMOS SRAM 512K × 16 bit
N08M1618L1A 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit
N08M1618L1AB 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit
N08M1618L1AW 制造商:AMI 制造商全称:AMI 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512K 】 16 bit
N08M163WL1A 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512Kx16 bit
N08M163WL1AB 制造商:NANOAMP 制造商全称:NANOAMP 功能描述:8Mb Ultra-Low Power Asynchronous Medical CMOS SRAM 512Kx16 bit
    • 我
    • 采购
    • 搜索
    • 会员